Samsung находится на пути к началу массового производства новых микросхем памяти для DDR5 DRAM, созданных на основе первого в отрасли 12-нанометрового техпроцесса. Компания планирует начать производство новых чипов в 2023 году, чтобы «усовершенствовать вычисления следующего поколения, центры обработки данных и приложения искусственного интеллекта» благодаря повышенной производительности и большей энергоэффективности.
Новые 16-гигабитные (Гб) чипы DRAM от Samsung будут полезны для всех платформ, использующих стандарт DDR5. Однако компания выделяет улучшения специально для AMD. В официальном пресс-релизе утверждается, что эти чипы «оптимизированы и проверены» для новейших платформ AMD Zen с поддержкой DDR5 (сокет Zen4 и AM5).
Использование разных ИТ-компонентов для разных задач — обычная практика. Но по мере расширения бизнес-функций компании могут быть перегружены множеством разрозненных инструментов, которые не могут обмениваться данными и работать вместе. В этом случае на помощь приходит системная интеграция.
Переход на более новый 12-нм технологический процесс позволяет Samsung увеличить скорость до 7,2 Гбит/с (что примерно соответствует обработке двух 32-гигабайтных UHD-фильмов всего за одну секунду), потребляя при этом на 23% меньше, чем «предыдущая DRAM». В обновленной памяти будет использоваться новый материал high-k с увеличенной емкостью ячеек и улучшенными «критическими характеристиками цепи». Samsung также хвастается самой высокой в отрасли плотностью кристаллов, что увеличивает производительность пластин на 20%.
Samsung обещает использовать новые 12-нм чипы DDR5 DRAM в самых разных сегментах рынка, поэтому ожидайте более быстрой и эффективной оперативной памяти во всех типах компьютеров и серверов.
